آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

 رشته : عمران
 
تعداد صفحات: 30
فرمت :ورد (قابل ویرایش)

1.    نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق  شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

فهرست  مطالب